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    STAC4932B

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Tray
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 STAC244B
    增益 26 dB
    技术 SI
    输出功率 1.2 kW
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 200 V
    Id-连续漏极电流 1 mA

    库存:50,518

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥717.9003
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥717.9003 ¥717.9003
    5+ ¥709.0951 ¥3,545.4755
    10+ ¥680.8462 ¥6,808.4620
    25+ ¥660.3978 ¥16,509.9450
    50+ ¥639.0767 ¥31,953.8350
    100+ ¥618.9455 ¥61,894.5500

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