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| 数据手册 | M4N65TF 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 2.3Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 34W |
库存：57,609
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.1072
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.1072 | ￥1.1072 |
| 10+ | ￥0.7954 | ￥7.9540 |
| 30+ | ￥0.7381 | ￥22.1430 |
| 100+ | ￥0.6808 | ￥68.0800 |
| 500+ | ￥0.6554 | ￥327.7000 |
| 1,000+ | ￥0.6427 | ￥642.7000 |
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