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LTC5556 双路可编程增益下变频混频器适合需要精密增益设置的分集和 MIMO 接收器。

产品详情LTC5556 双路可编程增益下变频混频器适合需要精密增益设置的分集和 MIMO 接收器。每个通道都包含一个有源混频器和一个数字 IF VGA，其增益控制范围为 15.5dB。可以通过 SPI 以 0.5dB 的步进对每个通道的 IF 增益范围进行编程。每个通道的使能引脚允许快速开启和关闭。还提供了更低功耗模式。此器件具有与 LTC5556 相同的功能，但混频器针对更高的 3GHz 至

HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器，采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。

产品详情HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器，采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部元件和匹配电路。HMC554ALC3B 采用优化的平衡/不平衡转换器结构，因此可提供出色的本地振荡器 (LO) 到 RF 和

HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为5至7 GHz。

产品详情HMC407MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为5至7 GHz。该放大器无需外部匹配亦可工作，从而在输入和输出端实现真正的50 Ohm匹配性能。该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。该放大器提供15 dB增益，饱和功率为+29 dBm（28% PAE时），电源电压为+5V。

HMC406MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC功率放大器，工作频率范围为5至6 GHz。

产品详情HMC406MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC功率放大器，工作频率范围为5至6 GHz。该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。它采用极少的外部元件提供17 dB增益，饱和功率为+29 dBm（38% PAE时），电源电压为+5V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。应用UNIIHiperL

HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器，采用符合RoHS标准的无引脚4x4 mm SMT封装。

产品详情HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器，采用符合RoHS标准的无引脚4x4 mm SMT封装。该放大器的工作频率范围为13至25 GHz，采用+3V单电源时提供22 dB增益和+19 dBm输出IP3。 3.5 dB的低噪声系数性能非常适合接收和发送前置驱动器应用。隔直RF I/O匹配至50 Ω，使用方便。 HMC342LC4允许使用表贴制造技术

AD8369是一款高性能数字控制型可变增益放大器，设计用于手机接收机的中频设备。

产品详情AD8369是一款高性能数字控制型可变增益放大器，设计用于手机接收机的中频设备。该器件具有4位数字控制增益接口，可配置为并行或3线串行控制。增益控制在45 dB的范围内可调，以3 dB递增。它适合用于数字中频接收机，并且额定工作频率为常见的中频：70 / 140 / 190 / 240 / 380 MHz。20 MHz通道带宽的增益稳定性和平坦度低于0.1 dB（380 MHz时）。它结合

HMC499LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚“无铅”SMT封装。

产品详情HMC499LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装。该放大器具有21至32 GHz的工作范围，提供16 dB增益、+24 dBm饱和功率和16% PAE（+5V电源电压）。隔直RF I/O匹配至50 Ω，使用方便。 HMC499LC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。应用点对点无线电点对多点无线电和VSA

HMC499是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为21至32 GHz。

产品详情HMC499是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为21至32 GHz。 HMC499提供16 dB增益，采用+5V电源电压时具有+24 dBm输出功率（1 dB压缩）。由于尺寸较小，HMC499放大器可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (1 mil)、最小长度0.31

HMC517LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片，采用符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装。

产品详情HMC517LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片，采用符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装。 HMC517LC4提供19 dB小信号增益、2.5 dB噪声系数及+23 dBm输出IP3。 +13 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC517LC4可以使用表贴制造技术。应用点对点无线电点对多点无

HMC516LC5是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，采用符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装。

产品详情HMC516LC5是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，采用符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装。 HMC516LC5提供20 dB小信号增益、2 dB噪声系数及+25 dBm输出IP3。 +13 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC516LC5可以使用表贴制造技术。应用点对点无线电点对多点无线电和V