LTC®5593 隶属于一个覆盖 600MHz 至 4.5GHz RF 频率范围的双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列

产品详情LTC®5593 隶属于一个覆盖 600MHz 至 4.5GHz RF 频率范围的双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列。LTC5593 专为 2.3GHz 至 4.5GHz RF 应用而优化。LO 频率必须位于 2.1GHz 至 4.2GHz 的范围之内，以获得优质的性能。该器件的典型应用是具有一个 2.3GHz 至 2.7GHz RF 输入的 LTE 或 WiMAX 多通道

LTC®5592 隶属于一个覆盖 600MHz 至 4.5GHz RF 频率范围的双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列

产品详情LTC®5592 隶属于一个覆盖 600MHz 至 4.5GHz RF 频率范围的双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列。LTC5592 专为 1.6GHz 至 2.7GHz RF 应用而优化。LO 频率必须位于 1.5GHz 至 2.5GHz 的范围之内，以获得优质的性能。该器件的典型应用是具有一个 2.3GHz 至 2.7GHz RF 输入和低端 LO 的 LTE 或 Wi

LTC®5590 隶属于一个覆盖 600MHz 至 4.5GHz RF 频率范围的双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列

产品详情LTC®5590 隶属于一个覆盖 600MHz 至 4.5GHz RF 频率范围的双通道、高动态范围、高增益下变频混频器系列。LTC5590专为 600MHz 至 1.7GHz RF 应用而优化。LO 频率必须位于 700MHz 至 1.5GHz 的范围之内，以获得较佳性能。该器件的典型应用是具有一个 700MHz 至 915MHz RF 输入和高端 LO 的 LTE 或 GSM

HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚表贴塑料封装(MSOP)

产品详情HMC218BMS8GE是一款超小型双平衡混频器，采用8引脚表贴塑料封装(MSOP)。 无源MMIC混频器采用GaAs Schottky二极管和新颖的平面变压器片内巴伦结构。 该器件可用作上变频器、下变频器、双相调制器/解调器或相位比较器。 当用作下变频器（3.5至8 GHz）和上变频器（4.5至8 GHz）时，该混频器可正常工作。 低转换损耗、高隔离和宽IF带宽使该混频器非常适合各种Rx

ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器

产品详情ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器，集成中频(IF)数字控制放大器(DGA)，适用于宽带、低失真基站无线电接收机。双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器，具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前，RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号，从而减少

ADRF6612是一款双通道射频(RF)混频器和中频(IF)放大器，集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCOs)。

产品详情ADRF6612是一款双通道射频(RF)混频器和中频(IF)放大器，集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCOs)。 ADRF6612利用革命性的宽带方波限幅本振(LO)放大器来实现700 MHz至3000 MHz RF带宽。 与窄带正弦波LO放大器解决方案不同，LO可用于高于或低于RF输入的极宽带宽。 LO放大器不需要储能元件，因此直流功耗也随着LO频率降低而降低。ADRF6612利用高线

HMC7585LG是一款全集成系统级封装(SiP)同相/正交(I/Q)上变频器，工作频率范围为81 GHz至86 GHz

产品详情HMC7585LG是一款全集成系统级封装(SiP)同相/正交(I/Q)上变频器，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。该器件采用由6倍LO倍频器驱动的镜像抑制混频器。将后接中等功率放大器的可变增益放大器增加到混频器输出，以提供32 dB（典型值）的小信号转换增益。针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输入，且可由差分I和Q基带波形驱动。或者，针对单边带应用，输入可使用外部90°混

HMC7584LG是一款全集成系统级封装(SiP)同相/正交(I/Q)上变频器，工作时的IF输入频率范围为DC至2 GHz，RF输出频率范围为71 GHz至76 GHz

产品详情HMC7584LG是一款全集成系统级封装(SiP)同相/正交(I/Q)上变频器，工作时的IF输入频率范围为DC至2 GHz，RF输出频率范围为71 GHz至76 GHz。该器件采用由6倍LO倍频器驱动的图像抑制混频器。将一个后接中等功率放大器的可变增益放大器增加到混频器输出，以提供34 dB（典型值）的小信号转换增益。针对直接变频应用提供差分I和Q混频器输入，且可由差分I和Q基带波形驱动。

HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。

产品详情HMC787ALC3BHMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能，采用17

ADMV1009 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、上边带(USB)、差分上变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对工作频率范围为12.7 GHz至15.4 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。

产品详情ADMV1009 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、上边带(USB)、差分上变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对工作频率范围为12.7 GHz至15.4 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1009 提供21 dB的转换增益和20 dB的边带抑制性能。ADMV1009采用射频(RF)放大器，前接由驱动放大器驱动本振(LO)的无源、双平衡混

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