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| 数据手册 | FS200R12PT4PBOSA1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | 130 mm x 103 mm x 20.55 mm |
| 配置 | IGBT-Inverter |
| Pd-功率耗散 | 20 mW |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1.2 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 200 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：56,959
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,356.0515
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,356.0515 | ￥1,356.0515 |
| 5+ | ￥1,315.4014 | ￥6,577.0070 |
| 10+ | ￥1,296.1340 | ￥12,961.3400 |
| 25+ | ￥1,267.5678 | ￥31,689.1950 |
| 50+ | ￥1,245.4446 | ￥62,272.2300 |
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