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| 数据手册 | WSD2012DN25 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 9.5mΩ @ 5.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.7W |
库存：55,258
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.8720
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥0.8720 | ￥0.8720 |
| 10+ | ￥0.6263 | ￥6.2630 |
| 30+ | ￥0.5813 | ￥17.4390 |
| 100+ | ￥0.5362 | ￥53.6200 |
| 500+ | ￥0.5161 | ￥258.0500 |
| 1,000+ | ￥0.5061 | ￥506.1000 |
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